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GC1708E

产品描述Variable Capacitance Diode, 3.9pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共2页
制造商Msi Electronics Inc
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GC1708E概述

Variable Capacitance Diode, 3.9pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt

GC1708E规格参数

参数名称属性值
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压60 V
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比6
标称二极管电容3.9 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数1050
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流2e-8 µA
反向测试电压55 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类ABRUPT
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