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JANTX2N6796_15

产品描述Repetitive Avalanche Ratings
文件大小131KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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JANTX2N6796_15概述

Repetitive Avalanche Ratings

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PD - 90430C
REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED
V
HEXFET TRANSISTORS
THRU-HOLE (TO-205AF)
Product Summary
Part Number
IRFF130
BVDSS
100V
R
DS(on)
0.18Ω
I
D
8.0A
IRFF130
JANTX2N6796
JANTXV2N6796
REF:MIL-PRF-19500/557
100V, N-CHANNEL
The HEXFET technology is the key to International
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-
tance combined with high transconductance.
The HEXFET transistors also feature all of the well
established advantages of MOSFETs such as volt-
age control, very fast switching, ease of parelleling
and temperature stability of the electrical parameters.
They are well suited for applications such as switch-
ing power supplies, motor controls, inverters, chop-
pers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.
TO-39
Features:
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Hermetically Sealed
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 10V, TC = 25°C
ID @ VGS = 10V, TC = 100°C
I DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
For footnotes refer to the last page
8.0
5.0
32
25
0.20
±20
75
5.5
-55 to 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)
0.98(typical)
W
W/°C
Units
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
o
C
g
www.irf.com
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