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IPB136N08N3G

产品描述45 A, 80 V, 0.0136 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1020KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPB136N08N3G概述

45 A, 80 V, 0.0136 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

45 A, 80 V, 0.0136 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

IPB136N08N3G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)50 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)45 A
最大漏极电流 (ID)45 A
最大漏源导通电阻0.0136 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)180 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IPB136N08N3G相似产品对比

IPB136N08N3G IPB136N08N3G_15
描述 45 A, 80 V, 0.0136 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 45 A, 80 V, 0.0136 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
元件数量 1 1
端子数量 2 2
表面贴装 YES Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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