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2N6403

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 400V V(DRM)
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小341KB,共5页
制造商General Electric Solid State
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2N6403概述

Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 400V V(DRM)

2N6403规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大直流栅极触发电流60 mA
最大直流栅极触发电压2.5 V
最大维持电流60 mA
最大漏电流2 mA
通态非重复峰值电流160 A
最大通态电压1.7 V
最大通态电流5000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压400 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

2N6403相似产品对比

2N6403 2N6401 2N6404 2N6400 2N6402
描述 Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 400V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier Silicon Controlled Rectifier, 5000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier Silicon Controlled Rectifier
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknown unknown
厂商名称 - General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State
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