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UMT1NL-AL6-R

产品描述GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小112KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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UMT1NL-AL6-R概述

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

UMT1NL-AL6-R规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UMT1N
GENERAL PURPOSE
TRANSISTOR
DESCRIPTION
Preliminary
DUAL TRANSISTOR
The UTC
UMT1N
is a dual transistor, including two PNP
transistors. It uses UTC’s advanced technology to provide the
customers with high DC current gain, etc.
FEATURES
* High DC current gain (h
FE
>120@V
CE
=-6V, I
C
=-1mA)
EQUIVALENT CIRCUITS
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
UMT1NL-AL6-R
UMT1NG-AL6-R
Package
SOT-363
1
E1
Pin Assignment
2
3
4
5
B1 C2 E2 B2
6
C1
Packing
Tape Reel
MARKING
6
5
T1N
1
2
3
4
L: Lead Free
G: Halogen Free
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R218-025.a

UMT1NL-AL6-R相似产品对比

UMT1NL-AL6-R UMT1NG-AL6-R UMT1N_15
描述 GENERAL PURPOSE TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V -
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS -
最小直流电流增益 (hFE) 120 120 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 -
元件数量 2 2 -
端子数量 6 6 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 PNP PNP -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz -

 
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