PNP GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| PUMT1G-AL6-R | PUMT1L-AL6-R | PUMT1_15 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | PNP GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR | PNP GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR | PNP GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | - |
| 针数 | 6 | 6 | - |
| Reach Compliance Code | compli | compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | - |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V | - |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | SEPARATE, 2 ELEMENTS | - |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 120 | 120 | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 | - |
| 元件数量 | 2 | 2 | - |
| 端子数量 | 6 | 6 | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | - |
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