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R1QCA3618CBG-20IT

产品描述QDR SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小304KB,共38页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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R1QCA3618CBG-20IT概述

QDR SRAM

R1QCA3618CBG-20IT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FBGA-165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)500 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.66 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.79 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度15 mm
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