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20N60G-T47-T

产品描述N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小211KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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20N60G-T47-T概述

N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING

20N60G-T47-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)1200 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.45 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)370 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

20N60G-T47-T相似产品对比

20N60G-T47-T 20N60G-T3P-T 20N60L-T3P-T 20N60L-T47-T 20N60_15
描述 N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant -
雪崩能效等级(Eas) 1200 mJ 1200 mJ 1200 mJ 1200 mJ -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V 600 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A 20 A 20 A 20 A -
最大漏极电流 (ID) 20 A 20 A 20 A 20 A -
最大漏源导通电阻 0.45 Ω 0.45 Ω 0.45 Ω 0.45 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 -
元件数量 1 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 370 W 300 W 300 W 370 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A 80 A 80 A 80 A -
表面贴装 NO NO NO NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -
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