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2N60G-T6C-K

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小305KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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2N60G-T6C-K概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

POWER, 场效应晶体管

2N60G-T6C-K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1261579059
包装说明TO-126C, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL6.05
雪崩能效等级(Eas)140 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)13 pF
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)180 ns
最大开启时间(吨)115 ns

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