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F2N60G-TN3-R

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小233KB,共6页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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F2N60G-TN3-R概述

Power Field-Effect Transistor

F2N60G-TN3-R相似产品对比

F2N60G-TN3-R F2N60 F2N60G-TN3-T F2N60L-TN3-R F2N60L-TN3-T
描述 Power Field-Effect Transistor N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
LVDS接收
我用AFE5805进行AD采样,50M采样频率,输出12位600M速率的LVDS串行信号,两个伴随时钟,一个50M,一个300M,FPGA中用ip核altlvds_rx接收,解串因子为6,两个解串后的数据拼成12位的数据。AFE5805有一个LVDS TEST模式,可以输出固定数据,当输出010101010101时,在Signal tap中观测到解串以及拼接的数据都正确;当输出1111110000...
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