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IRFF323R

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,2A I(D),TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小184KB,共5页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFF323R概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,2A I(D),TO-205AF

IRFF323R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

IRFF323R相似产品对比

IRFF323R IRFF321R IRFF320R
描述 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,2A I(D),TO-205AF TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-205AF TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-205AF
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2 A 2.5 A 2.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W 20 W
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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