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2N6903

产品描述980mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小210KB,共4页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2N6903概述

980mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF

2N6903规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, RADIATION HARDENED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.5 A
最大漏极电流 (ID)0.98 A
最大漏源导通电阻3.65 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)20 pF
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值8.33 W
最大功率耗散 (Abs)8.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

2N6903相似产品对比

2N6903
描述 980mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF
是否Rohs认证 不符合
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE, RADIATION HARDENED
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.5 A
最大漏极电流 (ID) 0.98 A
最大漏源导通电阻 3.65 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 20 pF
JEDEC-95代码 TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 8.33 W
最大功率耗散 (Abs) 8.33 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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