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CBR6A-080

产品描述2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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CBR6A-080概述

2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

CBR6A-080规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压850 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码S-PUFM-W4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Bridge Rectifiers, Controlled Avalanche*
Single Phase, Full Wave
1.5 to 35 Amperes
200 to 800 Volts
IO (AMPS)
@TA ( C)
@TC ( C)
IFSM (AMPS)
60
o
o
1.5
50
2.0
55
3.0
2.0 @ 25
3.0 @ 50
50
6.0
50
100
150
10
100
150
CASE
VRRM (VOLTS)
200
400
600
800
VF MAX @ IF
IR MAX @ VRRM
CASE A
CASE C
CASE CM
CBR1A-020
CBR1A-040
CBR1A-060
CBR1A-080
1.0V @ 1.0A
10µA
CBR2A-020
CBR2A-040
CBR2A-060
CBR2A-080
1.1V @ 2.0A
10µA
CBR3A-P020
CBR3A-P040
CBR3A-P060
CBR3A-P080
1.1V @ 1.5A
10µA
CBR6A-020
CBR6A-040
CBR6A-060
CBR6A-080
1.1V @ 3.0A
10µA
CBR10A-J020
CBR10A-J040
CBR10A-J060
CBR10A-J080
1.2V @ 5.0A
10µA
*AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE
VRRM
200V
400V
600V
800V
MIN
250
450
650
850
175
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
MAX
700
900
1100
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