DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | HALOGEN AND LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 配置 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.55 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 120 A |
| 元件数量 | 2 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 40 V |
| 最大反向电流 | 500 µA |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| MGBR20L40CG-TA3-T | MGBR20L40C | MGBR20L40CL-TA3-T | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 包装说明 | HALOGEN AND LEAD FREE, TO-220, 3 PIN | - | R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 应用 | GENERAL PURPOSE | - | GENERAL PURPOSE |
| 配置 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | - | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.55 V | - | 0.55 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | - | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | - | R-PSFM-T3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 120 A | - | 120 A |
| 元件数量 | 2 | - | 2 |
| 相数 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | - | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 40 V | - | 40 V |
| 最大反向电流 | 500 µA | - | 500 µA |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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