2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
元件数量 | 4 |
最小击穿电压 | 650 V |
最大平均输入电流 | 2 A |
加工封装描述 | CASE A, 4 PIN |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | ROUND |
包装尺寸 | CYLINDRICAL |
端子形式 | WIRE |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
工艺 | AVALANCHE |
结构 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相数 | 1 |
最大重复峰值反向电压 | 600 V |
最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
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