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24FC128T-I/MNY

产品描述16K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小914KB,共38页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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24FC128T-I/MNY概述

16K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8

16K × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDSO8

24FC128T-I/MNY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DFN
包装说明VSON, SOLCC8,.11,20
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度3 mm
内存密度131072 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1
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