OptiMOSTM3 Power-Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | TSDSON-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 30 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 13 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.09 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 38 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 52 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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