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VBUS054CV-06S-G-08

产品描述246 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小119KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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VBUS054CV-06S-G-08概述

246 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

VBUS054CV-06S-G-08规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CAPACITANCE
最大击穿电压8 V
最小击穿电压6.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G6
最大非重复峰值反向功率耗散246 W
元件数量1
端子数量6
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5.5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

VBUS054CV-06S-G-08相似产品对比

VBUS054CV-06S-G-08 VBUS054CV-06S
描述 246 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 242 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
包装说明 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW CAPACITANCE LOW CAPACITANCE
最大击穿电压 8 V 8.6 V
最小击穿电压 6.3 V 7 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
最大非重复峰值反向功率耗散 246 W 242 W
元件数量 1 1
端子数量 6 6
最高工作温度 85 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 5.5 V 5.5 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

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