16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
16M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.4 ns, PBGA84
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Winbond(华邦电子) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | WBGA-84 |
| 针数 | 84 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.35 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 533 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 |
| 长度 | 12.5 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 84 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 16MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA84,9X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.006 A |
| 最大压摆率 | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
| W9725G6KB-18 | W9725G6KB-25 | W9725G6KB-3 | W9725G6KB25A | W9725G6KB25I | W9725G6KB25K | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 | 16M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 84 | 84 | 84 | 84 | 84 | 84 |
| 组织 | 16MX16 | 16MX16 | 16MX16 | 16M X 16 | 16MX16 | 16M X 16 |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | Yes | YES | Yes |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - | 符合 | - |
| 厂商名称 | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) | - | Winbond(华邦电子) | - |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | - | BGA | - |
| 包装说明 | WBGA-84 | TFBGA, BGA84,9X15,32 | WBGA-84 | - | WBGA-84 | - |
| 针数 | 84 | 84 | 84 | - | 84 | - |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli | - | compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | - |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | - |
| 最长访问时间 | 0.35 ns | 0.4 ns | 0.45 ns | - | 0.4 ns | - |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | - |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 533 MHz | 400 MHz | 333 MHz | - | 400 MHz | - |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | - | COMMON | - |
| 交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | - | 4,8 | - |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 | R-PBGA-B84 | R-PBGA-B84 | - | R-PBGA-B84 | - |
| 长度 | 12.5 mm | 12.5 mm | 12.5 mm | - | 12.5 mm | - |
| 内存密度 | 268435456 bi | 268435456 bi | 268435456 bi | - | 268435456 bi | - |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | - | DDR DRAM | - |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | - |
| 字数 | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | - | 16777216 words | - |
| 字数代码 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | - | 16000000 | - |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA | - | TFBGA | - |
| 封装等效代码 | BGA84,9X15,32 | BGA84,9X15,32 | BGA84,9X15,32 | - | BGA84,9X15,32 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | - |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | - | 8192 | - |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | - | 1.2 mm | - |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | - | YES | - |
| 连续突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | - | 4,8 | - |
| 最大待机电流 | 0.006 A | 0.006 A | 0.006 A | - | 0.006 A | - |
| 最大压摆率 | 0.16 mA | 0.135 mA | 0.115 mA | - | 0.135 mA | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | - | 1.9 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | - | 1.7 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - | CMOS | - |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | - | 0.8 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm | - | 8 mm | - |
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