70 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
70 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
包装说明 | R-PBGA-B10 |
针数 | 10 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW CAPACITANCE |
最大击穿电压 | 9 V |
最小击穿电压 | 6 V |
击穿电压标称值 | 7.5 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B10 |
JESD-609代码 | e1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 70 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 10 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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