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BC238B

产品描述NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
文件大小349KB,共5页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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BC238B概述

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC237,238, A,B,C
BC239, B,C
TO-92
Plastic Package
For Lead Free Parts, Device
Part # will be Prefixed with
"T"
C
BE
Amplifier Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
a
=25ºC)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation at T
a
=25ºC
Derate Above 25ºC
Power Dissipation at T
c
=25ºC
Derate Above 25ºC
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to Ambient in free air
Junction to Case
SYMBOL
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
stg
BC237
45
50
6.0
100
350
2.8
1.0
8.0
- 55 to +150
BC238
25
30
5.0
BC239
25
30
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW/ºC
W
mW/ºC
ºC
R
th (j-a)
R
th (j-c)
357
125
ºC/W
ºC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
SYMBOL
V
CEO
TEST CONDITION
I
C
=2mA, I
B
=0
BC237
BC238/BC239
I
E
=10µA, I
C
=0
BC237
BC238/BC239
BC238/BC239
V
CE
=30V, V
BE
=0
BC237
V
CE
=50V, V
BE
=0
BC238/BC239
V
CE
=30V, V
BE
=0, Ta=125ºC
BC237
V
CE
=50V, V
BE
=0, Ta=125ºC
BC237_239Rev_1 201205E
MIN
45
25
6.0
5.0
MAX
UNITS
V
V
V
V
Emitter Base Voltage
V
EBO
Collector Cut Off Current
I
CES
15
15
nA
nA
µA
µA
4.0
4.0
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 5
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INT1: CLR TR0 ;启动       PUSH ACC ;压入堆栈 现场保护       MOV A,TH0 ;读THO       CJNE A,61H,ZHYD2 ;比较高八位       MOV A,TL0 ;读低八位     ......
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