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BC179C

产品描述100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小88KB,共3页
制造商CDIL
官网地址http://www.cdilsemi.com
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BC179C概述

100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18

100 mA, 45 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-18

BC179C规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流0.1000 A
最大集电极发射极电压45 V
加工封装描述TO-18, 3 PIN
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸圆柱形的
端子形式线
端子位置BOTTOM
包装材料金属
结构单一的
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
最大环境功耗0.3000 W
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数70
额定交叉频率150 MHz

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC177, A, B, C
BC178, A, B, C
BC179, A, B, C
TO-18
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector -Emitter Voltage
Collector -Emitter Voltage
Collector -Base Voltage
Emitter -Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation@ Ta=25 degC
Derate Above 25 deg C
Power Dissipation@ Tc=25 degC
Derate Above 25 deg C
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
SYMBOL
VCEO
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
Tj, Tstg
BC177
45
50
50
5.0
BC178
25
30
30
5.0
0.2
0.6
2.28
1.0
6.67
-65 to +200
BC179
20
25
25
5.0
UNIT
V
V
V
V
A
W
mW/deg C
W
mW/deg C
deg C
Rth(j-c)
175
deg C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
ICES
VCE=20V, IE=0
Collector-Cut off Current
Tamb=125 deg C
VCE=20V, IE=0
VCBO
IC=10uA, IE=0
Collector -Base Voltage
BC177
BC178
BC179
Collector -Emitter Voltage
VCEO
IC=2mA,IB=0
BC177
BC178
BC179
MIN
-
-
50
30
25
45
25
20
5.0
TYP MAX
100
4.0
-
-
-
-
-
UNIT
nA
uA
V
V
V
V
V
V
V
Emitter-Base Voltage
DC Current
VEBO
hFE
IE=10uA, IC=0
IC=2mA, VCE=5V
BC177
BC178
BC179
A Group
B Group
C Group
-
460
800
800
220
460
800
0.20
0.60
0.80
-
0.75
Page 1 of 3
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Base Emitter on Voltage
Continental Device India Limited
VCE(Sat) IC=10mA,IB=0.5mA
IC=100mA,IB=5mA
VBE(Sat) IC=10mA,IB=0.5mA
IC=100mA,IB=5mA
VBE(on) IC=2mA, VCE=5V
Data Sheet
120
120
180
120
180
380
-
-
-
-
0.90
0.60
V
V
V
V
V

 
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