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SMAJ45A

产品描述400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SMAJ45A概述

400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC

SMAJ45A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknow
击穿电压标称值52.65 V
最大钳位电压72.7 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码e0
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压45 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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SMAJ5.0A thru SMAJ188CA
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount T
RANS
Z
ORB®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated chip junction
• Available in uni-directional and bi-directional
• 400 W peak pulse power capability with a
10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle):
0.01 % (300 W above 78 V)
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
• Low incremental surge resistance
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DO-214AC (SMA)
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
BR
uni-directional
V
BR
bi-directional
V
WM
P
PPM
I
FSM
T
J
max.
Polarity
Package
6.40 V to 231 V
6.40 V to 231 V
5.0 V to 188 V
400 W, 300 W
40 A
150 °C
Uni-directional, bi-directional
DO-214AC (SMA)
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,
computer, industrial, automotive, and telecommunication.
DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS
For bi-directional use CA suffix (e.g. SMAJ10CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
per
Polarity:
For uni-directional types the band denotes
cathode end, no marking on bi-directional types
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform
(1)(2)
(fig. 1)
Peak pulse current with a waveform
(1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only
(2)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
I
FSM
T
J
, T
STG
VALUE
400
See next table
40
- 55 to + 150
UNIT
W
A
A
°C
Notes
(1)
Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T = 25 °C per fig. 2. Rating is 300 W above 78 V
A
(2)
Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal
Revision: 09-Dec-13
Document Number: 88390
1
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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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www.vishay.com/doc?91000
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