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NLAS9051MNR2G

产品描述SPDT Switch
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小177KB,共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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NLAS9051MNR2G概述

SPDT Switch

NLAS9051MNR2G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码DFN
包装说明VSON,
针数6
Reach Compliance Codecompli
模拟集成电路 - 其他类型SPDT
JESD-30 代码R-XDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.2 mm
信道数量1
功能数量1
端子数量6
标称断态隔离度62 dB
通态电阻匹配规范0.15 Ω
最大通态电阻 (Ron)1.7 Ω
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VSON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
最长断开时间20 ns
最长接通时间30 ns
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.4 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1 mm

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NLAS9051
SPDT, 1
W
R
ON
Switch
The NLAS9051 is a low R
ON
SPDT analog switch. This device is
designed for low operating voltage, high current switching of speaker
output for cell phone applications. It can switch a balanced stereo
output. The NLAS9051 can handle a balanced microphone/
speaker/ringtone generator in a monophone mode. The device
contains a break−before−make (BBM) feature.
Features
http://onsemi.com
Single Supply Operation:
1.65 V to 5.5 V V
CC
Function Directly from LiON Battery
R
ON
Typical = 1.0
W
@ V
CC
= 4.5 V
Low Static Power
These are Pb−Free Devices
WDFN6
MN SUFFIX
CASE 506AS
Typical Applications
Cell Phone Speaker/Microphone Switching
Ringtone−Chip/Amplifier Switching
Stereo Balanced (Push−Pull) Switching
Important Information
MARKING DIAGRAM
WM
G
W
M
G
= Specific Device Code
= Date Code & Assembly Location
= Pb−Free Device
Continuous Current Rating Through each Switch
±300
mA
1.2 x 1.0 x 0.4P mm 6−Lead Thin DFN Package
PIN ASSIGNMENTS
NO
1
6
IN
GND
2
5
V
CC
NC
3
4
COM
(Top View)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 8 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
April, 2007
Rev. 0
1
Publication Order Number:
NLAS9051/D

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描述 SPDT Switch SPDT Switch
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