2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | SMDIP-4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 最小击穿电压 | 800 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 2 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 800 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 反向测试电压 | 800 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| CBR2-D080S | CBR2-D060S | CBR2-D100S | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | SMDIP-4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
| 最小击穿电压 | 800 V | 600 V | 1000 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A | 50 A | 50 A |
| 元件数量 | 4 | 4 | 4 |
| 相数 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | 2 A | 2 A | 2 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 800 V | 600 V | 1000 V |
| 最大反向电流 | 5 µA | 5 µA | 5 µA |
| 反向测试电压 | 800 V | 600 V | 1000 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | Central Semiconductor | - | Central Semiconductor |
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