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CAUC1G125MDCKREP

产品描述Enhanced Product Single Bus Buffer Gate With 3-State Output 5-SC70 -55 to 125
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小204KB,共9页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数

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CAUC1G125MDCKREP概述

Enhanced Product Single Bus Buffer Gate With 3-State Output 5-SC70 -55 to 125

CAUC1G125MDCKREP规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数5
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys DescriptiEnhanced Product Single Bus Buffer Gate With 3-State Outpu
控制类型ENABLE LOW
系列AUC
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e4
长度2 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型BUFFER
最大I(ol)0.009 A
湿度敏感等级1
位数1
功能数量1
输入次数1
端子数量5
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP5/6,.08
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源0.8/2.7 V
最大电源电流(ICC)0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Su7.5 ns
传播延迟(tpd)7.5 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1.25 mm
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