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BYW29-150

产品描述7 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小181KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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BYW29-150概述

7 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BYW29-100--BYW29-200
Super Fast Rectifiers
VOLTAGE RANGE:
100
---
200
V
CURRENT:
8.0
A
2.8± 0.1
Features
Low cost
Glass passivated junction chips
Low leakage
TO-220AC
10.2± 0.2
φ
3.8± 0.15
4.5± 0.2
1.4± 0.2
19.0± 0.5
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and sim ilar solvents
PIN
1
2
8.9± 0.2
2.6± 0.2
3.5± 0.3
13.8± 0.5
5.0± 0.1
0.5± 0.1
Low forward voltage drop
High current capability
Mechanical Data
Case: JEDEC TO-220AC
Polarity: Color band denotes cathode
Weight:0.069
ounces,1.96 grams
Mounting position: Any
0.9± 0.1
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,50 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYW29
-100
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
C
=120
BYW29
-150
150
105
150
8.0
BYW29
-200
200
140
200
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
100
70
100
Peak forw ard surge current
10ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
80
A
Maximum instantaneous forw ard voltage @ I
F
=8.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
1.05
10
600
V
A
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note1)
(Note1)
(Note2)
25
45
3.0
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
ns
pF
/W
R
θJC
T
J
T
STG
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE:
1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2.
Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to case.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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