电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BYV26CZ

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小51KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
下载文档 选型对比 全文预览

BYV26CZ概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BYV26A(Z) - - - BYV26E(Z)
VOLTAGE RANGE: 200 --- 1000 V
CURRENT: 1.0 A
SUPER FAST RECTIFIERS
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and similar solvents
DO - 41
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-41,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces,0.34 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,50 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYV26A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5
mm lead length,
@T
A
=75
BYV26B BYV26C BYV26D
400
280
400
600
420
600
1.0
800
560
800
BYV26E
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
200
140
200
Peak forw ard surge current
10ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
30.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 1.0A
Maximum reverse current
@T
A
=25
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
30
45
2.5
5.0
150.0
75
40
100
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
A
ns
pF
/W
at rated DC blocking voltage @T
A
=100
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
www.galaxycn.com
Document Number 0264013
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYV26CZ相似产品对比

BYV26CZ BYV26AZ BYV26BZ BYV26DZ BYV26E BYV26EZ
描述 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
STM8写EEPROM时UART接收中断为什么发生过载错误?
STM8写EEPROM时UART接收中断为什么发生过载错误?UART_SR的OR置位。 不写EEPROM时串口中断接收数据正常。...
x02004514 stm32/stm8
【TI技术文章】:KeyStone存储器架构
随着全球范围内的海量数据对无线和有线网络的强大冲击,运营商面临着严峻的挑战,他们需要不断推出既能满足当前需求也能满足未来需求的网络。因此,通信基础局端设备制造商在致力于降低每比特成 ......
德仪DSP新天地 DSP 与 ARM 处理器
阀侧移相12脉波同相逆并联整流电源
摘要:介绍单铁心阀侧移相12脉波同相逆并联晶闸管整流器主电路原理、控制电路原理、结构上的特点,以及此装置在工业现场的运行情况。 关键词:晶闸管整流器12脉波阀侧移相同相逆并联 在大功率 ......
zbz0529 电源技术
TI Deals这周又有了
88981这周的TIdeals是MetaWatch,基于MSP430F5438A和CC2560的一套解决方案,这次的TIdeals不算是个大便宜吧,原价是199美刀,现价非别为149和139美刀,:Cry:还是好贵哦!包括两款,一款是数字显 ......
wstt 微控制器 MCU
电动汽车充电常见问题最全解答!
一:充电时可以开空调吗? 1.可以,部分车辆充电前需先关闭系统,开始充电后再启动车辆就可以使用空调了。 610407 2.新款车辆没有关闭系统的操作,空调不受充电影响,可一直使用 ......
禾川芯 汽车电子
ez430-rf2500问题求助
我的ez430-rf2500板子连接好后,AP端红灯一直闪烁,ED端没有任何响应,同时上位机不能接收除AP端其他的温度信息,望大神解答! ...
小白1213 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1015  2819  2326  2783  942  29  7  10  49  21 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved