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BYV26A_10

产品描述Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode
文件大小111KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BYV26A_10概述

Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode

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BYV26A, BYV26B, BYV26C, BYV26D, BYV26E
Vishay Semiconductors
Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Glass passivated junction
• Hermetically sealed package
• Very low switching losses
• Low reverse current
• High reverse voltage
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
949539
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-57
Terminals:
plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 369 mg
APPLICATIONS
• Switched mode power supplies
• High-frequency inverter circuits
PARTS TABLE
PART
BYV26A
BYV26B
BYV26C
BYV26D
BYV26E
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 200 V; I
FAV
= 1 A
V
R
= 400 V; I
FAV
= 1 A
V
R
= 600 V; I
FAV
= 1 A
V
R
= 800 V; I
FAV
= 1 A
V
R
= 1000 V; I
FAV
= 1 A
PACKAGE
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
BYV26A
BYV26B
Reverse voltage = repetitive peak
reverse voltage
See electrical characteristics
BYV26C
BYV26D
BYV26E
Peak forward surge current
Average forward current
Non repetitive reverse avalanche
energy
Junction and storage temperature
range
I
(BR)R
= 1 A, inductive load
t
p
= 10 ms, half sine wave
SYMBOL
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FAV
E
R
T
j
= T
stg
VALUE
200
400
600
800
1000
30
1
10
- 55 to + 175
UNIT
V
V
V
V
V
A
A
mJ
°C
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Junction ambient
TEST CONDITION
l = 10 mm, T
L
= constant
SYMBOL
R
thJA
VALUE
45
UNIT
K/W
Document Number: 86040
Rev. 1.7, 04-Aug-10
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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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