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BYT56K

产品描述1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小43KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BYT56K概述

1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYT56K规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用VERY FAST SOFT RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流1.5 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BYT56.
Vishay Telefunken
Fast Silicon Mesa Rectifiers
Features
D
D
D
D
Glass passivated junction
Hermetically sealed package
Low reverse current
Soft recovery characteristics
Applications
94 9588
Very fast rectifiers and switches
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Reverse voltage
g
=Repetitive peak reverse voltage
Test Conditions
Type
BYT56A
BYT56B
BYT56D
BYT56G
BYT56J
BYT56K
BYT56M
Symbol
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
I
FSM
I
FAV
I
FAV
T
j
=T
stg
Value
50
100
200
400
600
800
1000
80
1.5
3
–65...+175
Unit
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
°
C
Peak forward surge current
Average forward current
g
Junction and storage
temperature range
t
p
=10ms,
half sinewave
on PC board
l=10mm, T
L
=25
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=10mm, T
L
=constant
on PC board with spacing 37.5mm
Symbol
R
thJA
R
thJA
Value
25
70
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Reverse recovery time
Test Conditions
I
F
=3A
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
, T
j
=150
°
C
I
F
=0.5A, I
R
=1A, i
R
=0.25A
Type
Symbol
V
F
I
R
I
R
t
rr
Min
Typ
Max
1.4
5
150
100
Unit
V
m
A
m
A
ns
Document Number 86032
Rev. 2, 24-Jun-98
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
1 (4)

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