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BYT52B: 产品描述0.85 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小43KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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BYT52B概述

0.85 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

BYT52B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	E-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	E-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.85 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.2 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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BYT52.

Vishay Telefunken

Fast Silicon Mesa Rectifiers

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Low reverse current

Soft recovery characteristics

Applications

Fast rectifiers and switches

94 9539

Absolute Maximum Ratings

= 25

Parameter

Reverse voltage

=Repetitive peak reverse voltage

Test Conditions

Type

BYT52A

BYT52B

BYT52D

BYT52G

BYT52J

BYT52K

BYT52M

Symbol

RRM

FSM

FAV

stg

Value

100

200

400

600

800

1000

0.85

1.4

–65...+175

Unit

Peak forward surge current

Average forward current

Junction and storage

temperature range

= 25

Parameter

Junction ambient

=10ms,

half sinewave

on PC board

l=10mm, T

=25

Maximum Thermal Resistance

Test Conditions

l=10mm, T

=constant

on PC board with spacing 25mm

Symbol

thJA

Value

100

Unit

K/W

Electrical Characteristics

= 25

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Reverse recovery time

Test Conditions

=1A

RRM

, T

=150

=0.5A, I

=1A, i

=0.25A

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.3

150

200

Unit

Document Number 86029

Rev. 2, 24-Jun-98

www.vishay.de

•

FaxBack +1-408-970-5600

1 (4)

BYT52.

Vishay Telefunken

Ozone Depleting Substances Policy Statement

It is the policy of

Vishay Semiconductor GmbH

1. Meet all present and future national and international statutory requirements.

2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating

systems

with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on

the environment.

It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as

ozone depleting substances ( ODSs ).

The Montreal Protocol ( 1987 ) and its London Amendments ( 1990 ) intend to severely restrict the use of ODSs and

forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban

on these substances.

Vishay Semiconductor GmbH

has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of

ODSs listed in the following documents.

1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively

2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental

Protection Agency ( EPA ) in the USA

3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively.

Vishay Semiconductor GmbH

can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting

substances and do not contain such substances.

We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.

Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer application

by the customer. Should the buyer use Vishay-Telefunken products for any unintended or unauthorized application, the

buyer shall indemnify Vishay-Telefunken against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or

indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use.

Vishay Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany

Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423

www.vishay.de

•

FaxBack +1-408-970-5600

4 (4)

Document Number 86029

Rev. 2, 24-Jun-98

BYT52B相似产品对比

	BYT52B	BYT52	BYT52A	BYT52D	BYT52G	BYT52J	BYT52K	BYT52M
描述	0.85 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.85 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.85 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.85 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.85 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.85 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.85 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.85 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅
厂商名称	Vishay(威世)	-	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
包装说明	E-LALF-W2	-	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	E-LALF-W2	-	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2
元件数量	1	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	-	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	-	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	0.85 A	-	0.85 A	0.85 A	0.85 A	0.85 A	0.85 A	0.85 A
封装主体材料	GLASS	-	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS
封装形状	ELLIPTICAL	-	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM	-	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V	-	50 V	200 V	400 V	600 V	800 V	1000 V
最大反向恢复时间	0.2 µs	-	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs
表面贴装	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	-	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	-	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
针数	-	-	2	2	2	2	2	2

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