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BYG10J

产品描述1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BYG10J概述

1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC

BYG10J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1.5 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间4 µs
表面贴装YES
Base Number Matches1

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BYG10D thru BYG10Y
Vishay General Semiconductor
Standard Avalanche SMD Rectifier
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Controlled avalanche characteristics
• Glass passivated junction
• Low reverse current
• High surge current capability
DO-214AC (SMA)
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 260 °C
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in generell purpose rectification of power
supplies, inverters, converters and freewheeling diodes
for consumer, automotive and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade
(AEC-Q101 qualified), meets JESD 201 class 2
whisker test
Note:
• BYG10Y for commercial grade only
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
E
R
T
J
max.
1.5 A
200 V to 1600 V
30 A
1.0 µA
1.15 V
20 mJ
150 °C
Polarity:
Color band denotes the cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Peak forward surge current 10 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Pulse energy in avalanche mode,
non repetitive (inductive load switch off)
I
(BR)R
= 1 A, T
J
= 25 °C (for BYG10D-BYG10M)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
SYMBOL
BYG10D
BYG10D
200
BYG10G
BYG10G
400
BYG10J
BYG10J
600
1.5
30
BYG10K
BYG10K
800
BYG10M
BYG10M
1000
BYG10Y
BYG10Y
1600
V
A
A
UNIT
E
R
T
J
, T
STG
20
- 55 to + 150
mJ
°C
Document Number: 88957
Revision: 03-Jun-09
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1

BYG10J相似产品对比

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描述 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknown
配置 SINGLE - SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1.15 V
最大非重复峰值正向电流 30 A - 30 A
元件数量 1 - 1
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最大输出电流 1.5 A - 1.5 A
最大重复峰值反向电压 600 V - 1600 V
表面贴装 YES - YES
Base Number Matches 1 - 1
厂商名称 - Vishay(威世) Vishay(威世)

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