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BYD33GZ

产品描述SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小60KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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BYD33GZ概述

SILICON, SIGNAL DIODE

硅, 信号二极管

BYD33GZ规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述HERMETICALLY SEALED, 玻璃 PACKAGE-2
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料玻璃
工艺AVALANCHE
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管

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BL
FEATURES
Low cos t
GALAXY ELECTRICAL
BYD33D(Z)---BYD33M(Z)
VOLTAGE RANGE: 200 --- 1000 V
CURRENT: 1.3 A
FAST RECOVERY RECTIFIERS
DO - 15
Diffus ed junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Eas ily cleaned with Freon,Is opropanol and
s im ilar s olvents
MECHANICAL DATA
Cas e:JEDEC DO--15,m olded plas tic
Term inals : Axial lead ,s olderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014ounces ,0.39 gram s
Mounting pos ition: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,50Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYD
33D
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYD
33G
400
280
200
BYD
33J
600
420
600
1.3
BYD
33K
800
560
800
BYD
33M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
200
140
200
Peak forw ard surge current
10ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
250
20.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
(
@ 1.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
1.3
1.0
100.0
300
20
120
-55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
A
ns
pF
K/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
www.galaxycn.com
Document Number 0261040
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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描述 SILICON, SIGNAL DIODE SILICON, SIGNAL DIODE SILICON, SIGNAL DIODE SILICON, SIGNAL DIODE SILICON, SIGNAL DIODE SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 2 2 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1 1 1
加工封装描述 HERMETICALLY SEALED, 玻璃 PACKAGE-2 HERMETICALLY SEALED, 玻璃 PACKAGE-2 HERMETICALLY SEALED, 玻璃 PACKAGE-2 HERMETICALLY SEALED, 玻璃 PACKAGE-2 HERMETICALLY SEALED, 玻璃 PACKAGE-2 HERMETICALLY SEALED, 玻璃 PACKAGE-2
状态 DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 线 线 线 线 线 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 玻璃 玻璃 玻璃 玻璃 玻璃 玻璃
工艺 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
结构 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的
壳体连接 隔离 隔离 隔离 隔离 隔离 隔离
二极管元件材料
二极管类型 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管

 
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