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BY4_13

产品描述High Voltage Silicon Rectifier Diodes
文件大小104KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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BY4_13概述

High Voltage Silicon Rectifier Diodes

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BY4 ... BY16
BY4 ... BY16
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2013-04-03
Nominal current
Nennstrom
7.3
±0.3
0.3 A ... 1 A
4000...16000 V
Ø 7.3 x 22 [mm]
1.9 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
22
±0.5
66
+4.0
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2
±0.05
Standard packaging taped in Reel
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
BY4
BY6
BY8
BY12
BY16
Grenz- und Kennwerte
Forward volt.
Durchlass-Spg.
V
F
[V]
2
)
< 4.0
< 6.0
< 8.0
< 10.0
< 15.0
Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current
Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg.
Dauergrenzstrom
V
RRM
[V]
V
RSM
[V]
I
FAV
[A]
1
)
4000
6000
8000
12000
16000
4000
6000
8000
12000
16000
1.0
1.0
0.5
0.5
0.3
Leakage Current
Sperrstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
i
2
t
< 1 µA
< 25 µA
30 A
4.5 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
< 25 K/W
1
)
T
j
T
S
R
thA
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
At / Bei I
FAV
,T
j
= 25°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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