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BUL6825

产品描述Silicon NPN Power Transistors
文件大小38KB,共3页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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BUL6825概述

Silicon NPN Power Transistors

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Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
BUL6825
DESCRIPTION
・With
TO-220C package
・High
voltage ,high speed
APPLICATIONS
・Relay
drivers
・Inverters
・Switching
regulators
・Deflection
circuits
PINNING
PIN
1
2
3
Base
Collector;connected to
mounting base
Emitter
DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=25
℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
j
T
stg
PARAMETER
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current (DC)
Collector current-Peak
Base current
Base current-PeaK
T
a
=25℃
Total power dissipation
T
C
=25℃
Junction temperature
Storage temperature
75
150
-65~150
Open emitter
Open base
Open collector
CONDITIONS
VALUE
700
400
9
4
8
2
4
2
W
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-C
PARAMETER
Thermal resistance from junction to case
VALUE
1.67
UNIT
℃/W

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