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BUL38D

产品描述5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小64KB,共3页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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BUL38D概述

5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

5 A, 450 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-220AB

BUL38D规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流5 A
最大集电极发射极电压450 V
加工封装描述TO-220, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
晶体管类型通用电源
最小直流放大倍数10

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Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION
·With
TO-220C package
·High
voltage ,high speed
·Integrated
antiparallel
collector-emitter diode
APPLICATIONS
·Designed
for use in lighting applications
and low cost switch-mode power supplies.
PINNING
PIN
1
2
3
Base
Collector;connected to
mounting base
Emitter
DESCRIPTION
BUL38D
·
Absolute maximum ratings(Ta=25
℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
stg
PARAMETER
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector current-Peak (t
p
<5 ms)
Base current
Base current-Peak (t
p
<5 ms)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=25℃
Open emitter
Open base
Open collector
CONDITIONS
VALUE
800
450
9
5
10
2
4
80
150
-65~150
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-C
PARAMETER
Thermal resistance from junction to case
VALUE
1.56
UNIT
℃/W
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DS-5 评估板license 老是出问题, 下面的是debug链接设备时候提示license出错 c:\截图00.png...
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