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BAS21G-AE3-R

产品描述GENERAL PURPOSE DIODES
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小159KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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BAS21G-AE3-R概述

GENERAL PURPOSE DIODES

BAS21G-AE3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
最小击穿电压200 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流1.7 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压250 V
最大反向电流100 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
反向测试电压200 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

BAS21G-AE3-R相似产品对比

BAS21G-AE3-R BAS21G-CB2-R BAS21_15
描述 GENERAL PURPOSE DIODES GENERAL PURPOSE DIODES GENERAL PURPOSE DIODES
是否Rohs认证 符合 符合 -
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G2 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE -
最小击穿电压 200 V 200 V -
配置 SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G2 -
最大非重复峰值正向电流 1.7 A 1.7 A -
元件数量 1 1 -
相数 1 1 -
端子数量 3 2 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
最大输出电流 0.2 A 0.2 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
最大功率耗散 0.25 W 0.41 W -
最大重复峰值反向电压 250 V 250 V -
最大反向电流 100 µA 100 µA -
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs -
反向测试电压 200 V 200 V -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
Base Number Matches 1 1 -
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