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2SA1186

产品描述RF POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小223KB,共1页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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2SA1186概述

RF POWER TRANSISTOR

射频功率晶体管

2SA1186规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1
打卡,画个图凑够10000米!
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