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CY7C1049GN-10VXIT

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, SOJ-36
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制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C1049GN-10VXIT在线购买

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CY7C1049GN-10VXIT概述

Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, SOJ-36

CY7C1049GN-10VXIT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
包装说明SOJ-36
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J36
长度23.495 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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CY7C1049GN
4-Mbit (512K words × 8-bit) Static RAM
4-Mbit (512K words × 8-bit) Static RAM
Features
Functional Description
CY7C1049GN is a high-performance CMOS fast static RAM
device organized as 512K words by 8-bits.
Data writes are performed by asserting the Chip Enable (CE) and
Write Enable (WE) inputs LOW, while providing the data on I/O
0
through I/O
7
and address on A
0
through A
18
pins.
Data reads are performed by asserting the Chip Enable (CE) and
Output Enable (OE) inputs LOW and providing the required
address on the address lines. Read data is accessible on the I/O
lines (I/O
0
through I/O
7
).
All I/Os (I/O
0
through I/O
7
) are placed in a high-impedance state
during the following events:
High speed
t
AA
= 10 ns
Low active and standby currents
Active current: I
CC
= 38 mA typical
Standby current: I
SB2
= 6 mA typical
Operating voltage range: 1.65 V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, and
4.5 V to 5.5 V
1.0 V data retention
TTL-compatible inputs and outputs
Pb-free 36-pin SOJ and 44-pin TSOP II packages
The device is deselected (CE HIGH)
The control signal OE is de-asserted
The logic block diagram is on page 2.
Product Portfolio
Product
Range
V
CC
Range (V)
Speed
(ns)
10/15
CY7C1049GN18
CY7C1049GN30
CY7C1049GN
Industrial
1.65 V–2.2 V
2.2 V–3.6 V
4.5 V–5.5 V
15
10
10
Power Dissipation
Operating I
CC
, (mA)
f = f
max
Typ
[1]
38
38
Max
40
45
45
Standby, I
SB2
(mA)
Typ
[1]
6
Max
8
Note
1. Typical values are included only for reference and are not guaranteed or tested. Typical values are measured at V
CC
= 1.8 V (for a V
CC
range of 1.65 V–2.2 V),
V
CC
= 3 V (for a V
CC
range of 2.2 V–3.6 V), and V
CC
= 5 V (for a V
CC
range of 4.5 V–5.5 V), T
A
= 25 °C.
Cypress Semiconductor Corporation
Document Number: 002-10613 Rev. *C
198 Champion Court
San Jose
,
CA 95134-1709
408-943-2600
Revised November 14, 2017

CY7C1049GN-10VXIT相似产品对比

CY7C1049GN-10VXIT CY7C1049GN30-10VXI CY7C1049GN30-10ZSXI CY7C1049GN-10VXI CY7C1049GN30-10ZSXIT
描述 Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, SOJ-36 Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, SOJ-36 Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, SOJ-36 Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
包装说明 SOJ-36 SOJ-36 TSOP2-44 SOJ-36 TSOP2,
Reach Compliance Code compli compli compli compli compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36 R-PDSO-G44 R-PDSO-J36 R-PDSO-G44
长度 23.495 mm 23.495 mm 18.415 mm 23.495 mm 18.415 mm
内存密度 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 36 36 44 36 44
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ TSOP2 SOJ TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
座面最大高度 3.7592 mm 3.7592 mm 1.194 mm 3.7592 mm 1.194 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 3.6 V 3.6 V 5.5 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 2.2 V 2.2 V 4.5 V 2.2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 3 V 3 V 5 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 J BEND J BEND GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 -

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