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2N6551

产品描述1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共1页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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2N6551概述

1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202

1 A, 60 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-202

2N6551规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)375 MHz
Base Number Matches1

2N6551相似产品对比

2N6551 2N6552 2N6553
描述 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
Base Number Matches 1 1 1
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 -
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A -
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V -
配置 SINGLE SINGLE -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
极性/信道类型 NPN NPN -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 375 MHz 375 MHz -
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