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2N3906E

产品描述EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共4页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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2N3906E概述

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

2N3906E规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns
Base Number Matches1

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