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1N963B

产品描述12 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小26KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N963B概述

12 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

12 V, 0.4 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-35

1N963B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明O-GALF-W2
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗11.5 Ω
最大正向电压 (VF)1.5 V
JEDEC-95代码DO-204AH
JESD-30 代码O-GALF-W2
JESD-609代码e2
膝阻抗最大值700 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压12 V
最大反向电流5 µA
反向测试电压9.1 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流10.5 mA

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1N957B...1N963B
Vishay Telefunken
Silicon Z–Diodes
Features
D
D
D
D
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
94 9367
Voltage stabilization
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
T
L
x
Test Conditions
75
°
C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
Rev. A3, 13-Nov-98
1 (3)

 
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