0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 50 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 15 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 2 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 1N65AL-T92-B | 1N65A | 1N65AG-T92-B | 1N65AG-T92-K | 1N65AG-T92-R | 1N65AL-T92-K | 1N65AL-T92-R | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | 0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | 0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | 0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | 0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | 0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET | 0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | - | 符合 | - |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - |
| 零件包装代码 | TO-92 | - | TO-92 | TO-92 | - | TO-92 | - |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | - | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | - | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | - |
| 针数 | 3 | - | 3 | 3 | - | 3 | - |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | - | compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 50 mJ | - | 50 mJ | 50 mJ | - | 50 mJ | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 650 V | - | 650 V | 650 V | - | 650 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.5 A | - | 0.5 A | 0.5 A | - | 0.5 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.5 A | - | 0.5 A | 0.5 A | - | 0.5 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 15 Ω | - | 15 Ω | 15 Ω | - | 15 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | - | TO-92 | TO-92 | - | TO-92 | - |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | - | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | - | O-PBCY-T3 | - |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | - | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | - | 3 | 3 | - | 3 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | ROUND | - | ROUND | ROUND | - | ROUND | - |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3 W | - | 3 W | 3 W | - | 3 W | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 2 A | - | 2 A | 2 A | - | 2 A | - |
| 表面贴装 | NO | - | NO | NO | - | NO | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING | SWITCHING | - | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON | - | SILICON | - |
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