电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N6123A

产品描述500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小85KB,共1页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

1N6123A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N6123A - - 点击查看 点击购买

1N6123A概述

500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

1N6123A规格参数

参数名称属性值
厂商名称New Jersey Semiconductor
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
•^s.mi-C.onductoi <Piodw£i, Una.
20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
FEATURES
• TRIPLE LAYER PASSIVATION.
• SUBMINIATURE.
• METALLURGICALLY BONDED.
1N6103-1N6137
1N6139-1N6173
1N6103A-1N6137A
1N6139A-1N6173A
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212) 227-6005
FAX: (973) 376-8960
• HIGH SURGE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.
BIDIRECTIONAL
TRANSIENT
SUPPRESSORS
• VOIDLESS HERMETICALLY SEALED GLASS PACKAGE
• DYNAMIC IMPEDANCE AND REVERSE LEAKAGE LOWEST AVAILABLE.
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C.
Storage Temperature: -65°Cto +200°C.
Surge Power 500W & 1500W
Power @ TL = 75°C
(%}
3.0W 500W Type
Power @ TL = 50°C (%) 5.0W 1500W Type
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SCRIM
TYPE
MEAKDOWt
TBT
VOLTA6E
CURRENT
WORKING
roiniGE
«m
Vdc
5.7
6.2
PEAK
V|IR|
WIN.
l|
MIX
LEAKAGE
CURRENT
ID
F
Mc
MAX
CLAMPIM
VOLTAGE
»C |*AX)
V(pk)
PEAK PULSE
CURRENT
MAX
MAX.
TEMP.
COEF.
IP
OF
PACKAGE E
.135
MAX.
DIA.
VIBRI
AMI
500W
1500W
Udc
MAde
175
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8
8
5
5
1
,,Adc
A(pk)
44.6
41.3
37.3
34.5
32.0
29.6
27.5
23.8
22.4
19.9
18.0
16.4
15.0
13.4
12.0
10.9
10.0
9.3
8.5
7.7
7.1
6.5
5.9
5.1
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
3.0
2.8
2.4
2.3
2.0
1.8
2
%/°c
.06
.06
06
.07
.07
.07
.08
.08
.08
500 WATT
'
1N6103A
1N6139A
1N6104A 1N6140A
1N6105A 1N6141A
1N6106A 1N6142A
1N6107A 1N6143A
1N6108A 1N6144A
1N6109A 1N6145A
1N6110A 1N6146A
1N6111A 1N6147A
1M6112A 1N6148A
1N6113A 1N6149A
1N6114A 1N6150A
1N6115A 1N6151A
1N6116A 1N6152A
1N6117A 1N6153A
1N6118A 1N6154A
1N6119A 1N6155A
1N6120A 1N6156A
1N6121A 1N6157A
1N6122A 1N6158A
1N6123A 1N6159A
IN6124A N6160A
1N6125A N6161A
1N6126A N6162A
1N6127A N6163A
1N6128A N6164A
1N6129A N6165A
1N6130A N6166A
1N6131A N6167A
1N6132A N6168A
1N6133A N6169A
1N6134A N6170A
1N6135A N6171A
1N6136A N6172A
1N6137A N6173A
Note 4
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15,20
17.10
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34,2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
589
646
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
50
300
10
100
10
100
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
560
71.3
77.9
86.5
95.0
04.5
14.0
23.5
42.5
52.0
71.0
90.0
1
62.2
69.2
76.0
86.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
1
10 100
1 10
1 10
1 10
1 10
1 10
1 10
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1 5
1 5
1
5
1
5
2
3
11.2
12.1
13.4
14.5
15.6
16.9
18.2
21.0
22.3
25.1
27.7
30.5
33.3
37.4
41.6
45.7
49.9
53.6
59.1
64.6
70.1
77.0
85.3
97.1
103.1
112.8
125.1
137.6
151,3
165.1
178.8
206.3
133.9
124.0
111.9
103.4
96.2
88.8
82.4
71.4
[3.42]
FIGURE 1
(NOTE 2)
——
I—-.040NOM.
DIA.
T~
1.0 WIN
(25.4)
"Q
11.02]
67.a
59.8
54.2
49.2
45.0
40.1
36.0
32.8
30.1
28.0
25.4
23.2
21.4
19.5
17.6
15.4
14.5
13.3
12.0
10.9
8.4
7.3
6.9
6.1
5.5
3
.085
.085
.085
.09
.09
.09
n
.195 MAX.
|4.7|
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.095
.100
.100
.100
.100
.100
.100
9.9
.100
9.1
.100
105
LIU
PACKAGEG
!
1500 WATT
i~
.185
H
MAX. DIA.
FIGURE 1A
(NOTE 3)
MECHANICAL
CHARACTERISTICS
Case: Hermetically sealed glass
case.
Lead Material: Tinned copper or
silver clad copper.
Marking: Body painted, alpha
numeric.
Polarity: No marking with 4-13
bi directional devices.
.105
105
218.4
245.7
273.0
1
.110
.110
1
NOTES: 1.
Applips to both SOOW and 1500W series. 4. Non -A part has 5% higher max surp?
2.
Applies to only .WOW scries,
voltage, 5% lower V(BKi min., ISM-
3. Applies to only 1500W series.
\ .Semi-O uuliKlon
rcftntu
ih« right to vhungt tell condition*, parameter limits wd pickup dimensions without notic*
iMfbrmulKnt I'tnrmlKii by NI S«mM. unJuctoo il belkved to h« both wxufnti ,iml rdiubfcr it lh« linw i>» guinf lit press. Hmvevtr SI
iVnii 11 ihliiiM" I^IIIIKH mi fop» iiiibiliiy for
in)
ern<n >>r luntaioiM Jiwuvcrnl in in «.-.« M Semi-C i iiihiUi M on
cr-ri n-vf. fi)
wii'h '!"« iMU.hiclj irf t'i
帮朋友发个QQ群,招人,嘿嘿
这个群建立以来一直只有几个人,现在我来帮忙招人进去。 29521470...
zhrglchp 嵌入式系统
求助RTX环境下串口通信的问题
小弟最近开始学习Ardence RTX,有很多不懂得地方,下面是一个基于serialAPI.h开发驱动的RTX通信串口测试程序。主线程是读数据,次线程是写数据。经过两次测试: 1.在单台计算机上用串口线连接C ......
liaozc 嵌入式系统
ST中TB中断只能进入一次
@interruptvoidTB_INIT(void){PADR=0;return;}voidmain(void){PADDR=0x0F;PAOR=0x0F;LTCSR=0x10;_asm("nop");_asm("rim");PADR=0X0C;}我不知道在主程序中如何去等待中断,就像汇编 ......
sherryrain stm32/stm8
请问各位大虾,有熟悉lwip的吗? 问个在inet.c文件中有个inet_chksum_pseudo()的函数相关问题。
函数原型如下: /* inet_chksum_pseudo: * * Calculates the pseudo Internet checksum used by TCP and UDP for a pbuf chain. */ u16_t inet_chksum_pseudo(struct pbuf *p, ......
ywqman 嵌入式系统
用MSP430单片机flash存储数据的编程实例
MSP430FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是: ......
fish001 微控制器 MCU
新手跪求开发板
我是一MSP430新手,看了MSP430的书后想实践一下,苦于没有开发板, 若哪位长辈又不用的开发板,可否借我一用,十分感谢的。 因为我也是51单片机过来人,买的开发板学过后就没有用了,所以师傅 ......
niuzhilv 微控制器 MCU

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2585  1613  429  323  448  53  33  9  7  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved