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GC9932-TSR-129B: 产品描述Mixer Diode, Medium Barrier, X Band, Silicon; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小615KB，共5页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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GC9932-TSR-129B概述

Mixer Diode, Medium Barrier, X Band, Silicon

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	S-CTMW-F3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	3 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容	0.15 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.54 V
频带	X BAND
JESD-30 代码	S-CTMW-F3
JESD-609代码	e4
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE
封装形式	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子面层	Gold (Au)
端子形式	FLAT
端子位置	TRIPLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型	MEDIUM BARRIER

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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