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1N60

产品描述GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小406KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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1N60概述

GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N60
1N60P
Features
High Reliability
Low Reverse Current and Low Forward Voltage
Marking : Cathode band and type number
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Moisture Sensitivity Level 1
Schottky Barrier
Rectifier
Maximum Ratings
Storage &Operating JunctionTemperature: -65℃ to +125
DO-35
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Parameter
Repetitive
Peak Reverse
Voltage
Average
Forward
Current
Peak Forward
Surge Current
Junction
Ambient
Symbol
V
RRM
Type
1N60
1N60P
1N60
I
F(AV)
I
FSM
R
thJA
1N60P
1N60
1N60P
Value
40V
45V
30mA
50mA
150mA
500mA
250K/W
T
a
= 25℃
T
a
= 25℃
t
p
≦1s
t
p
≦1s
On PC board
50mm×50mm
×1.6mm
A
Cathode
Mark
B
Test Condition
D
D
Note:
1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
---
---
---
1.000
MM
MIN
---
---
---
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.166
.079
.020
---
MAX
4.2
2.00
.52
---
NOTE
Revision: A
www.mccsemi.com
1 of 3
2011/01/01

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1N60 1N60P
描述 GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7 0.05 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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