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1N5822

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小124KB,共1页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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1N5822概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201

3 A, 40 V, 硅, 整流二极管, DO-201

1N5822规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称New Jersey Semiconductor
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流2000 µA
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

1N5822相似产品对比

1N5822 1N5820 1N5821
描述 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.95 V 0.85 V 0.9 V
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A 80 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 40 V 20 V 30 V
最大反向电流 2000 µA 2000 µA 2000 µA
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

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