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1N5822

产品描述3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5822概述

3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201

3 A, 40 V, 硅, 整流二极管, DO-201

1N5822规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW POWER LOSS, FREE WHEELING
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5820, 1N5821, 1N5822
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Plastic Rectifier
FEATURES
• Guardring for overvoltage protection
• Very small conduction losses
• Extremely fast switching
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• High frequency operation
DO-201AD
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
max.
Package
Diode variations
3.0 A
20 V, 30 V, 40 V
80 A
0.475 V, 0.500 V, 0.525 V
125 °C
DO-201AD
Single
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection
applications.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Non-repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
at 0.375" (9.5 mm) lead length at T
L
= 95 °C
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
1N5820
20
14
20
24
1N5821
30
21
30
36
3.0
80
- 65 to + 125
1N5822
40
28
40
48
UNIT
V
V
V
V
A
A
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward voltage
Maximum instantaneous forward voltage
Maximum average reverse current
at rated DC blocking voltage
TEST CONDITIONS
3.0
9.4
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
SYMBOL
V
F
V
F
(1)
(1)
1N5820
0.475
0.850
1N5821
0.500
0.900
2.0
20
1N5822
0.525
0.950
UNIT
V
V
mA
I
R (1)
Note
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
Revision: 13-Aug-13
Document Number: 88526
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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www.vishay.com/doc?91000

1N5822相似产品对比

1N5822 1N5821
描述 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201 RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
其他特性 LOW POWER LOSS, FREE WHEELING LOW POWER LOSS, FREE WHEELING
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.95 V 0.9 V
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 30 V
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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