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1N5811

产品描述6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小63KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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1N5811概述

6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N5811规格参数

参数名称属性值
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明E-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用FAST SOFT RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
JESD-30 代码E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.04 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N5811
SINTERED GLASS JUNCTION
FAST AVALANCHE RECTIFIER
VOLTAGE:150V
CURRENT: 3.0A
FEATURE
Glass passivated
Hermetically sealed package
Low reverse current
Soft recovery characteristics
G-4
MECHANICAL DATA
Case: G-4 sintered glass case
Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Polarity: color band denotes cathode end
Mounting position: any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Reverse Breakdown Voltage
I
R
=100µA
1N5811
150
105
150
160
3.0
125
0.875
5.0
150.0
40
35.5
-65 to +175
units
V
V
V
V
A
A
V
µA
nS
/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
BR
I
FAV
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Rth(jl)
Tstg, Tj
Maximum Average Forward Rectified Current 3/8”lead
length at Ta=55℃
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at Forward Current 4A and
25℃
Maximum DC Reverse Current
Ta =25℃
at rated DC blocking voltage
Ta =100℃
Maximum Reverse Recovery Time
Typical Thermal Resistance
Storage and Operating Junction Temperature
Note:
1. Reverse Recovery Condition If
=0.5A,
Ir =1.0A, Irr =0.25A
(Note 1)
Rev.A1
www.gulfsemi.com
文字提取
怎么才能去出图片中的文字??...
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