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1N5625

产品描述3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N5625概述

3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N5625规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
1N5624 - 1N5627
PRV : 200 - 800 Volts
Io : 3.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
Glass passivated cavity-free junction
Low forward voltage drop
High reliability
Low reverse current
High forward surge capability
Pb / RoHS Free
GLASS PASSIVATED JUNCTION
SILICON RECTIFIERS
D2A
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
MIN.
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
MECHANICAL DATA :
* Case : D2A Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.645 gram
0.0400 (1.02)
0.0385 (0.98)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 70 °C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single half
sine wave Superimposed on rated load (JEDEC Method)
at I
F
= 3.0 A , Ta = 25 °C
Maximum Forward Voltage
at I
F
= 3.0 A , Ta = 175 °C
Maximum DC Reverse Current
Ta = 25 °C
at rated DC Blocking Voltage
Ta = 175 °C
Maximum Full Load Reverse Current, Full Cycle Average
0.375"(9.5mm) Lead Length at Ta = 70 °C
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
I
R(AV)
C
J
R
ӨJA
R
ӨJL
T
J
T
STG
1N5624
200
140
200
1N5625
400
280
400
1N5626
600
420
600
1N5627
800
560
800
UNIT
V
V
V
A
A
V
µA
µA
µA
pF
°C/W
°C/W
°C
°C
3.0
125
1.00
0.95
5.0
300
150
40
20
10
- 65 to + 175
- 65 to + 175
200
100
Notes :
(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
(2) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375" (9.5mm) lead length,
with both leads attached between heat sinks
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